Содержание:

Список сокращений
Введение
Часть первая. Фундаментальные основы инженерной подготовки
1. Особенности высшего технического образования
   1.1. Современная система высшего образования и его цели
   1.2. Особенности обучения в вузе
2. Фундаментальные основы инженерной деятельности
   2.1. Направления инженерной деятельности
   2.2. Практическая деятельность человека и современное естествознание
   2.3. Естественнонаучные основы практической деятельности человека
   2.4. Эволюция Вселенной и общность законов природы
   2.5. Деятельность инженера и реальность
3. Фундаментальные основы дисциплины учебного плана
   3.1. Особенности государственного образовательного стандарта по направлению «Нанотехнология в электронике»
   3.2. Естественнонаучные дисциплины
   3.3. Общепрофессиональные дисциплины
   3.4. Специальные дисциплины
   3.5. Гуманитарные и социально-экономические дисциплины
   3.6. Основные требования к подготовке современного инженера
Часть вторая. Этапы и основы развития электроники
4. Элементы квантовой физики
   4.1. Связь электроники и квантовой физики
   4.2. Этапы развития электроники
   4.3. Основные представления квантовой механики
   4.4. Квантовая модель атома
   4.5. Понятие о потенциальных ямах и барьерах
   4.6. Микрочастица в прямоугольной потенциальной яме
   4.7. Туннельный эффект
   4.8. Энергетический спектр кристалла
   4.9. Собственная электропроводность полупроводников
   4.10. Примесная электропроводности полупроводников
   4.11. Эффект компенсации примесных уровней
   4.12. Энергетические зоны на границе дырочного и электронного полупроводников
   4.13. Понятие аффективной массы электрона
   4.14. Неравновесная электропроводность собственного полупроводника
   4.15. Зависимость электропроводности полупроводников от температуры
   4.16. Полупроводниковые материалы в твердотельной электронике
5. Полупроводниковые структуры
   5.1. Роль полупроводниковых структур в микро- и оптоэлектронике
   6.2. Электронно-дырочный переход и его свойства
   5.3. Транзисторы
   5.4. Элементы оптоэлектроники. Гетеропереходы
   5.5. P-n - переход как схемный элемент ИМС
Часть третья. Научные и технологические основы наноэлектроникн
6. Предпосылки перехода от микро- к наноэлектронике
   6.1. Вводные замечания
   6.2. Основные этапы технологии ИМС
   6.3. Получение полупроводникового материала
   6.4. Получение полупроводниковых пластин
   6.5. Получение эпитаксиальных структур
   6.6. Методы формирования элементов ИМС
   6.7. Литография
   6.8. О преемственности этапов развития электроники
   6.9. Краткий обзор новой научной базы наноэлектроники
7. Физические основы наноэлектроники
   7.1. Квантоворазмерные эффекты
   7.2. Простейшие виды низкоразмерных объектов
   7.3. Энергетический спектр электронов и плотность электронных состояний в низкоразмерных областях
   7.4. Резонансный туннельный эффект
   7.5. Полупроводниковые сверхрешетки
   7.6. Одноэлектронные устройства
   7.7. Некоторые явления и устройства спинтроники
   7.8. Некоторые устройства молекулярной электроники
8. Технические средства нанотехнологий
   8.1. Два подхода к изготовлению структур в нанотехнологиях
   8.2. Эпитиксиальные методы получения наноструктур
структурах
   8.3. Нанолитография
   8.4. Зондовые нанотехнологии
   8.5. Углеродные нанотрубки
   8.6. Формирование квантовых точек и проволок
   8.7. Контакты к отдельным молекулам
   8.8. Линейная мера для измерений с помощью электронных и атомно-силовых микроскопов
Заключение
Литература
Предметный указатель