Электронные приборы - Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях. Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах. Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора. Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.
Название: Электронные приборы Автор: Червяков Г. Г., Прохоров С. Г., Шиндор О. В. Издательство: Феникс Год: 2012 Страниц: 333 Формат: PDF Размер: 27,0 МБ ISBN: 978-5-222-19217-7 Качество: Отличное Серия или Выпуск: Высшее образование Язык: Русский
Содержание:
Введение 1. Основы физики полупроводников 1.1. Зонная структура полупроводников 1.2. Электронно-дырочный переход 1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода 1.4. Вольт-амперная характеристика реального p-n-перехода 1.5. Контакты металла с полупроводником 1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости 2. Диоды 2.1. Классификация диодов 2.2. Эквивалентная электрическая схема p-n-перехода 2.3. Выпрямительные диоды 2.4. Высокочастотные диоды 2.5. Импульсные диоды 2.6. Мезадиоды 2.7. Стабилитроны 2.8. Параметрический стабилизатор напряжения 2.9. Варикап 2.10. Диод Шоттки 2.11. Туннельный диод 2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна 3. Биполярные транзисторы 3.1. Классификация 3.2. Общие сведения 3.3. Принцип работы транзистора 3.4. Три схемы включения транзистора 3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой 3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ 3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ 3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник 3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора 3.10. Разновидности биполярных транзисторов 3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры 3.12. Работа транзистора в ключевом режиме 3.13. Структура и принцип действия тиристоров 4. Полевые транзисторы и ПЗС 4.1. Полевые транзисторы с управляющимр-n-переходом 4.2. МДП-транзисторы 4.3. Основные параметры МДП-транзистора 4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью 4.5. Способы формирования видеосигнала 4.6. Приборы с зарядовой инжекцией 5. Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы 5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы 5.2. Полевые СВЧ-транзисторы 5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы 5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники 5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах 6. Преобразовательные приборы 6.1. Полупроводниковые источники излучения 6.2. Светоизлучающие диоды 6.3. Лазеры 6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели 6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы 6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом 6.7. Позисторы 6.8. Варисторы 6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы 6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы Заключение Тесты Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току Список литературы
